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Si4465ADY
Vishay Siliconix
P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
FEATURES
V DS (V)
-8
R DS(on) ( Ω )
0.009 at V GS = - 4.5 V
0.011 at V GS = - 2.5 V
0.016 at V GS = - 1.8 V
I D (A) b
- 13.7
- 12.4
- 10
Q g (Typ.)
55 nC
? Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Available
? TrenchFET ? Power MOSFET
? 1.8 V Rated
? 100 % R g Tested
S
SO- 8
S
S
S
G
1
2
3
4
8
7
6
5
D
D
D
D
G
Top V ie w
D
Orderin g Information: Si4465ADY-T1-E3 (Lead (P b )-free)
Si4465ADY-T1-GE3 (Lead (P b )-free and Halogen-free)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T A = 25 °C, unless otherwise noted
P-Channel MOSFET
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
T A = 25 °C
Symbol
V DS
V GS
Limit
-8
±8
- 13.7
Unit
V
Continuous Drain Current (T J = 150
°C) a, b
T A = 70 °C
T C = 25 °C
T C = 70 °C
I D
- 11
- 20
- 16
A
Pulsed Drain Current
Continuous Source Current (Diode Conduction) a, b
T A = 25 °C
I DM
I S
I SM
- 40
- 2.5
40
3.0
Maximum Power Dissipation
a, b
T A = 70 °C
T C = 25 °C
P D
1.95
6.5
W
T C = 70 °C
4.2
Operating Junction and Storage Temperature Range
T J , T stg
- 55 to 150
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
Parameter
Symbol
Typical
Maximum
Unit
Maximum Junction-to-Ambient (MOSFET) a
Maximum Junction-to-Foot (Drain)
t ≤ 10 s
Steady State
Steady State
R thJA
R thJF
34
67
15
41
80
19
°C/W
Notes:
a. Surface Mounted on 1" x 1" FR4 board.
b. t ≤ 10 s.
Document Number: 73856
S09-0393-Rev. B, 09-Mar-09
www.vishay.com
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